JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. GaN mot högre strömmar

GaN mot högre strömmar

Amerikanska GaN Systems säger sig ha världens bredaste portfölj när det gäller krafttransistorer i galliumnitrid-på-kisel. I morgon visar företaget för första gången upp sitt senaste tillskott, en 650 V GaN-transistor som levererar hela 100 A.
På konferensen Power Electronics and Applications, EPE'15ECCE, som slår upp dörrarna i schweiziska Geneve i morgon, visar GaN System för första gången upp sitt nytillskott, GS66540C.

GaN Systems säger sig vara först i världen att erbjuda en bred produktportfölj av krafttransistor i GaN-på-Si. Nu spär företaget alltså på sin portfölj med en första transistor som hanterar 650 V och 100 A. Den har hög switchhastighet, över 100 V per nanosekund, och låga förluster, enligt GaN Systems.

GS66540C kommer i en kapsel speciellt utvecklad för höga strömmar. Den har lägre induktans än tidigare GaN-kapsling och är extra robust, helt utan bondtrådar.  

Nykomlingen levereras i prover till större kunder som arbetar inom segmenten industri, fordon och solenergi.
MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Anne-Charlotte Lantz

Anne-Charlotte
Lantz

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)