JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.
 Annonsera Utgivningsplan Månadsmagasinet Prenumerera Konsultguide Om oss  About / Advertise
onsdag 13 november 2019 VECKA 46

Toshiba switchar än vassare

Ännu effektivare MOSFET:ar för både höga och låga spänningar var vad Toshiba flaggade extra för  på kraftmässan PCIM i Nürnberg, som avslutades igår. Två lanseringar stack ut.
En ny generation MOSFET:ar för lågspända tillämpningar, såsom DC/DC-omvandlare och effekthanteringskretsar, var en av höjdpunkterna i Toshibas monter under kraftmässan.  

Nykomlingen, TPHR8504PL, är en sådan extremt effektiv trench-transistor baserad på företagets nya processgeneration U-MOS IX-H.

– Det är vår första produkt som är baserad på den nya processen och industrins mest effektiva 40V-version i sitt slag, säger Michael Piela med marknadsansvar på Toshiba Europa.

Det är transistorns produkt mellan on-resistans och laddningen på utgången som han hävdar är industriledande. Kretsen har RDS(on) på bara 0,7 mΩ samt en typisk kapacitans på utgången om 1930 pF.

Först ut är alltså en 40 V-version, men under de närmaste månaderna planerar Toshiba att utöka familjen med versioner för mellan 30 och 60V. Kretsar sprungna ur den nya halvledarprocessen U-MOS IX-H passar väl att switcha på både den höga och låga sidan i en DC/DC-omvandlare, men också på sekundärsidan i en synkron AC/DC-omvandling.

– Den nya halvledarprocessen kan endera ge switchar som är 65 procent mindre i storleken, men med samma on-resistans som alternativen, eller switchar som har samma storlek som tidigare men 65 procent lägre on-resistans, hävdar Michael Piela.

Samtidigt blickar Toshiba mot MOSFET:ar för betydligt högre spänningar. En ny 650 V DTMOS (Dynamic Threshold voltage MOSFET) så kallade superjunctionswitch är en sådan. Switchen är den fjärde generationen ur denna process; den första släppte företaget för cirka två år sedan.

– Vi använder singel-epitaxi som innebär att vi kan etsa transistorns trenchar i ett steg, medan konkurrenterna använder multipel epitaxi vilket kräver många processteg. Det ger dels hål som inte har raka väggar, vilket försämrar on-resistansen, dels en betydligt dyrare produktion, förklarar Michael Piela.

Den mer exakta processen ger, enligt Toshiba, en lägre värmekoefficienten hos RDS(on) över temperaturen. Likaså gör den lägre on-resistansen att kretsarna kan göras mindre utan avkall på prestanda, hävdar företaget.

Den nya 650V-familjen finnas att få kapslade i D-PAK, I-PAK, D2-PAK, I2-PAK, TO-220, TO-220SIS och TO-247.

TPHR8504PL kommer å sin sida i en minimal SOP som bara är 5 x 6 mm.
MER LÄSNING:
 
Branschens egen tidning
För dig i branschen kostar det inget att prenumerera på vårt snygga pappers­magasin.

Klicka här!
SENASTE KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Vi gör Elektroniktidningen

Anne-Charlotte Sparrvik

Anne-Charlotte
Sparrvik

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Anna Wennberg

Anna
Wennberg
+46(0)734-171311 anna@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)