JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.
 Annonsera Utgivningsplan Månadsmagasinet Prenumerera Konsultguide Om oss  About / Advertise
måndag 19 augusti 2019 VECKA 34
Samsung har utvecklat industrins första pseudo-SRAM som rymmer 256 Mbit.
Det nya minnet siktar på en plats i framtida 3G-telefoner som kräver snabba minnen med hög densitet. Förutom en lagringskapacitet på 256 Mbit kan minnet arbeta med 133 MHz, vilket är klart snabbare än alla andra pseudo-SRAM för dagen.


Pseudo-SRAM är ett DRAM som utvecklats för att göra teknikövergången från statiska till dynamiska RAM smidig i framtida mobiltelefoner. Orsaken är att traditionella SRAM-lösningar inte längre håller måttet när minnesbehovet ökar i multimediatelefoner.


Marknaden för denna typ av minne förväntas växa med 33 procent årligen fram till år 2008, hävdar Samsung. Idag är cirka 10 procent av telefonerna på marknaden 3G-telefoner, om tre år väntas andelen vara uppe i 30 procent.


Samsungs minne har en UtRAM-arkitektur, vilket är en typ av pseudo-RAM där minnescellen är konfigurerad som ett DRAM och gränssnitt är konfigurerat som ett SRAM eller NOR-flash. Det tillverkas i 90 nm-process och företaget hävdar att de första proverna ska nå mobiltelefontillverkarna senare i denna månad. Volymer väntas mot slutet av året.

MER LÄSNING:
 
Branschens egen tidning
För dig i branschen kostar det inget att prenumerera på vårt snygga pappers­magasin.

Klicka här!
SENASTE KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Vi gör Elektroniktidningen

Anne-Charlotte Sparrvik

Anne-Charlotte
Sparrvik

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Anna Wennberg

Anna
Wennberg
+46(0)734-171311 anna@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)