Tyska halvledarjätten Infineon kommer att stanna vid 90 nm. När
geometrierna blir finare än så kommer man inte att bygga några egna
fabriker. Strategin kallas "fab-lite".
Hur många halvledartillverkare kommer att ha råd med nästa generations
produktionsanläggningar, för 65 nm-kretsar på 300 mm-skivor? Den frågan
har många i halvledarvärlden ställt sig, inklusive Infineons vd
Wolfgang Ziebart. En sådan investering skulle gå loss på 4-5 miljarder
dollar.- Intel, och möjligen Texas Instruments klarar det. Vi har inga sådana planer, säger han i en intervju med tidningen EE Times.
I stället ska Infineon bygga vidare på samarbetet med kiselsmedjan Chartered i Singapore. Chartered utvecklar såväl 65- som 45 nm-processer med Infineon, IBM och Samsung.
Strategin kallas "fab-lite" i halvledarsvängen. Wolfgang Ziebart underströk att Infineon tänker fortsätta kretstillverkningen i befintliga fabriker i Tyskland, Frankrike och Malaysia, och han förväntar sig att tekniken där ska vara marknadsmässig "ett bra tag framöver".
Infineon har tidigare berättat om sina planer att separera DRAM-verksamheten till ett eget bolag. Det skulle i så fall ske till sommaren nästa år. Ziebart antydde i intervjun att tidpunkten kan förändras, beroende på hur marknaden utvecklar sig.