Skriv ut
Intel har utvecklat en helt ny typ av transistor som bara drar en tiondel av dagens, samtidigt som hastigheten pressas upp 50 procent. Genombrottet presenteras på en konferens i USA idag.
Den goda nyheten är att Intel lyckats få ner strömförbrukningen i transistorer med en faktor tio samtidigt som man ökat prestanda med 50 procent. Den dåliga nyheten är att tekniken inte kommer i produktion förrän tidigast någon gång mellan 2015 och 2019.

Nyheten presenteras idag vid konferensen IEEE International Electron Devices Meeting i Washington DC.

En stor del av hemligheten sitter i materialet, en legering kallad Indium-Antimon.
- Det har högre elektronmobilitet, vilket gör att transistorerna kan switcha fortare och använda mindre energi än tidigare, säger Intels Rob Willoner till tidningen Electronic News.

Intel själv kallar användningen av materialet för genombrott. Men det återstår mycket arbete innan det kan komma till praktisk användning. De skivor Intel tagit fram av materialet är synnerligen sköra, så tanken är att använda det med ett kiselsubstrat, säger Willoner.

- Vi tror oss kunna fortsätta enligt Moores lag och dubblera processorernas täthet vartannat år. Men det räcker inte att bara skala ner transistorerna - vi måste konstruera om dem och introducera nya material, säger Willoner till Electronic News.