Skriv ut
Forskare vid IBM har visat att det går att göra halvledare med geometrier under 30 nm med konventionell optisk litografi. Tidigare trodde man att gränsen gick vid 32 nm.
Image
Världsrekordet, 29,9 nm, till vänster. Till höger standard 90 nm CMOS
Världsrekordet för halvledare framställda med optisk litografi lyder numera på 29,9 nm. Det är satt av forskare vid IBM och offentliggjordes häromdagen på en konferens i San José.

- Vårt mål är att trimma den optiska litografin så långt som möjligt, så att industrin inte behöver byta till dyrare alternativ förrän det blir absolut nödvändigt, säger Robert Allen, forskningschef vid IBMs Almaden-labb i San José, till nyhetsbrevet physorg.com.

Forskarlaget använde djupt ultraviolett optisk litografi, med en högrefraktiv lins intill kiselskivan. Just den högrefraktiva linsen anges som ett skäl till att man lyckats pressa sig förbi 32 nm, där man tidigare trodde att gränsen gick.

Bortom konventionell optisk litografi hägrar extrem-UV, även kallad ”mjukröntgen”. Här återstår dock mycket forskning innan några processmetoder kan anses vara färdiga.

- Vi tror nu att industrin har minst sju år på sig innan några så radikala förändringar i produktionstekniken blir möjliga, säger Allen.