Halvledarbolagen Infineon och Micron slår sig samman för att utveckla SIM-kort till morgondagens mobiler. Hög säkerhet och lagringskapacitet står i fokus.
Mobiltelefoner används allt oftare för att surfa på Internet, göra bankärenden och köpa biljetter. Risken för stöld och virusattacker har därmed ökat markant. Samtidigt vill operatörerna enkelt kunna uppdatera, ta bort och addera nya tillämpningar via sina trådlösa nät. För att kunna hantera detta behövs så kallade HD-SIM, som står för high density SIM. De ska vara både säkrare och ha högre lagringskapacitet än traditionella SIM-kort.
Tyska Infineon och amerikanska Micron ska tillsammans utveckla en kretslösning för HD-SIM. Korten ska lagra från 128 Mbyte upp till 2 Gbyte.
Tanken är att Infineon ska bidra med styrkretsarna som hanterar mycket av säkerheten, medan Micron bidrar med NAND-minnen som även har inbyggd kod för felkorrigering. Minnena som är seriella, ska tillverkas i 50 nm samt 34 nm. Inom konceptet finns dock tanken att det ska gå enkelt att byta mellan NAND- och NOR-flash, vilket skapar utmaningar på styrkretsnivå. De första prototyperna förväntas dyka upp på marknaden under nästa höst.