Micron och Intels samägda NAND-minnesbolag, IM Flash, tar klivet till nästa processgeneration tidigare än väntat. Företaget har börjat volymproducera NAND-flash tillverkade i 34 nm. Därmed sätter den amerikanska minnestillverkaren hård press på konkurrenterna.
IM Flash nya minne produceras i en 34 nm-process och lagrar 32 Gbit på ett 172 kvadratmillimeter stort chips. Innan årets slut ska detta kompakta minne uppta mer än halva produktionsvolymen i företagets fabrik i Utah, hävdar IM FlashKlivet till 34 nm sätter hård press på konkurrenterna. Samsung, Hynix och Toshiba har i år introducerat minnen tillverkade i 40 nm och jobbar just nu på att nå volymproduktion på denna processnod. Ingen av de tre minnstillverkarna antas ta ytterligare ett processkliv inom det närmaste året, vilket kan ge IM Flash kostnadsfördelar under en tid.