About / Advertise
DRAM-tillverkarna Samsung och Hynix har utvecklat ett nytt minnesgränssnitt speciellt för bärbart. De första provkretsarna ska nå marknaden om två år och den främsta vinsten är klart färre anslutningar utan avkall på bandbredd, hävdar företagen.
Minnesgränssnittet, kallat Serial Port Memory Technology (SPMT), ska ersätta dagens parallella DRAM-gränssnitt med en uppsättning mycket snabba seriella länkar. Den stora fördelen med det nya gränssnittet är att antal anslutningar kan minskas radikalt. Ett gränssnitt med fyra seriella länkar behöver 20 anslutningar, medan ett vanligt DDR2-minne av idag har 58 anslutningar. Samtidigt ger båda lösningarna i stort samma bandbredd på 4 GB/s, enligt de två sydkoreanska minnesgiganterna.
Det färre antalet anslutningar minskar även kapselstorlek och därmed kapselkostnad för både minnet och den processor som minnet är anslutet till. Mindre kapslar tar dessutom mindre kretskortsyta.
Ytterligare en fördel är att ett DRAM med SPMT-gränssnitt kan delas mellan två processorer, exempelvis en applikationsprocessor och en basbandsprocessor, eftersom det har flera olika snabba länkar.
Förutom Samsung och Hynix ingår systemtillverkaren LG och halvledarbolaget Silicon Image i det konsortium som bejakar den nya tekniken. Silicon Image erbjuder redan idag ett SPMT-gränssnitt som processortillverkare kan integrera i sina kretsar.
Samsung och Hynix förväntar sig att de första provexemplaren av minnena med SPMT-gränssnitt kommer att dyka upp år 2011, medan produktionen ska vara igång året därpå.
