Under tre år ska halvledartillverkaren ST Microelectronics och EDA-företaget Mentor Graphics utveckla teknik för konstruktion av kretsar med geometrier från dagens 32 nm ner till 20 nm.
Utvecklingsprojektet som fått namnet Decade ska ta fram konstruktionslösningar för system på kisel för processer som ännu inte sett dagens ljus. De mest avancerade processerna hos ST ligger idag på 32 nm, och målet nu är att komma ner till 20 nm. I projektet ingår digital och analog konstruktion, från systemnivå via designmetodik till strategier för placering och ledningsdragning, optisk korrektion för avancerad tillverkning, modellering, elektrisk karaktärisering samt parasitextraktion. Från ST hävdar man att deltagandet i utvecklingen av verktyg ger ett försprång och därmed en konkurrensfördel i konsten att leverera halvledare och kretsplattformar.
Verktygen ska användas för konstruktion i såväl standard CMOS som varianter därav, exempelvis för radioteknik. Även konstruktionsverktyg för tredimensionell kapsling och chipsstackning ingår i projektet.
Större delen av utvecklingsarbetet ska äga rum vid ST:s forskningsfabrik i franska Crolles. Projektet ingår i ramverket Nano2012, ett forsknings- och utvecklingsprogram lett av ST med stöd från franska staten och regionala myndigheter.