Kretsen är tillverkad i 20 nm och innebär ett rejält kliv uppåt i jämförelse det minne på 1 Gbit i 58 nm som Samsung visade upp i februari.
Kretsen kommer att demonstreras på konferensen International Electron Devices Meeting i Washington nästa vecka och på ISSCC i februari i San Francisco.Den har en drivspänning på 1,8 V och kan skrivas i 40 Mbyte/s.
Samsung och Micron är de två företag som ligger närmast att kunna erbjuda fasväxlingsminnen kommersiellt. Tekniken är ickeflyktig men har ännu inte lyckats komma ikapp flashminnena storleksmässigt.