About / Advertise
Under flera år har amerikanska Micron och koreanska Samsung krigat om att vara den ledande tillverkaren av flashminnen som lagrar tre bitar per minnescell. Nu hävdar båda att de har sådana flernivåminnen som lagrar 128 Gbit i massproduktion, eller åtminstone inom kort.
I mitten av februari meddelade Micron att man börjat släppa prover av ett flashminne med tre bitar per cell som rymmer 128 Gbit (länk). Minnet är tillverkat i en 20 nm-process och volymerna ska komma under årets andra kvartal, lovade företaget. Nu hävdar rivalen Samsung att företaget redan volymtillverkar flashminnen med tre bitar per cell som rymmer 128 Gbit. Koreanen hävdar dessutom att det nya minnet är tillverkat i en 10 nm-minnesprocess. Till skillnad mot Micron, vars kisel upptar 146 kvadratmillimeter, avslöjar inte Samsung storleken på det nya minnet. Företaget hävdar dock att minnet klarar datahastigheter på 400 Mbit/s över DDR2-gränssnitt.
Hur än kriget fortlöper är det intressant att de två kombattanterna anser att flernivåsflash med tre bitar per cell numera är fullvärdiga alternativ för flashdiskar (SSD) i datorer. I och med släppet av det nya 128 Gbit minnet säger sig Samsung också skruva upp volymproduktionen av SSD:er som rymmer över 500 Gbyte, med siktet inställt på ett bredare genomslag i datorer.
