Toshibas tillverkningsenhet Fab 5 i Yokkaichi står reda för att börja massproducera världens första NAND-minnen tillverkade i 15 nm. I slutet av april, alltså senast nästa vecka, ska minne som rymmer 128 Gbit börja spottas ut ur fabriken, lovar Toshiba.

Planen är att den nya processnoden ska ersätta den 19 nm-process som för dagen är Toshibas flaggskepp när det gäller NAND-tillverkning.

Minnena tillverkade i 15 nm kommer att ha samma skrivhastighet som de som är tillverkade i 19 nm. Överföringshastigheten däremot är 1,3 gånger snabbare än tidigare: 533 Mbit/s är via ett nytt och snabbare gränssnitt.

I Toshibas plan finns även  masstillverkning av flashminne i 15 nm som lagrar 3 bitar per minnescell, med start i juni i år. Parallellt med detta ska företaget utveckla styrenheter för inbyggda NAND-minnen.