Samsung inleder tillverkning i 20 nm av en ny generation primärminne för servermarknaden. Minneschips på 8 Gbit byggs samman till DDR4-moduler på 32 Gbyte.
DDR4-chipen sitter i RDIMM-moduler (registered dual in-line memory module) på 32 Gbyte. Tillverkningen har redan inletts denna månad.
Modulerna kan överföra 2400 Mbps per ben vilket är cirka 29 procent mer än dagens DDR3-serverminne. DDR4-modulerna använder dessutom en effektivare felkorrigeringsteknik, enligt Samsung.
Med hjälp av TSV-teknik (3D through silicon via) tror sig Samsung snart kunna tillverka DDR4-minne också i 128 Gbytemoduler.
Drivspänningen är 1,2 volt.