JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.
 Annonsera Utgivningsplan Månadsmagasinet Prenumerera Konsultguide Om oss  About / Advertise
måndag 11 november 2019 VECKA 46

Efter 16 år av utveckling närmar sig amerikanska Nantero till slut massproduktion av NRAM (Non-volatile RAM), en flash- och RAM-utmanare byggd i kolnanorör. Det är Fujitsu som ska tillverka en 55 nm-krets med 256 Mbyte inbyggt NRAM.

Fujitsu planerar dessutom rena NRAM-minneskretsar med stöd för DDR4 och erbjuder sig att integrera NRAM åt sina foundry-kunder.

Fujitsus NRAM skriver ”flera tusen” gånger snabbare än flash och tål ”tusentals” gånger fler skrivningar. 

Nantero har tidigare berättat om sin NRAM-teknik att den tål 800°C och överlever i minst 10 år i 300°C. Den kan läsas i 200°C och behåller minnet i minst tusen år i 85°C. Och så är den bit-adresserbar till skillnad från flash som arbetar i minnesblock. 

Minst ytterligare fem minnestillverkare kommer att tillverka NRAM. Någon av dem ska producera i 28 nm och lovar kretsar på flera Gbit med flera bitar per ytenhet än DRAM. Lanseringar ska komma snart. 

Dessutom licenseras tekniken av ytterligare tolv företag. Möjlig tillämpning är att använda dem som cacheminne i processorer och som SSD-minne.

Läs om Nantero i Elektroniktidningens arkiv (länk).

MER LÄSNING:
 
Branschens egen tidning
För dig i branschen kostar det inget att prenumerera på vårt snygga pappers­magasin.

Klicka här!
SENASTE KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Vi gör Elektroniktidningen

Anne-Charlotte Sparrvik

Anne-Charlotte
Sparrvik

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Anna Wennberg

Anna
Wennberg
+46(0)734-171311 anna@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)