JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.
 Annonsera Utgivningsplan Månadsmagasinet Prenumerera Konsultguide Om oss  About / Advertise
torsdag 21 november 2019 VECKA 47

ELECTRONICA På Electronica, som just nu pågår i München, visar Everspin (före detta Motorola) upp en första wafer med magnetiska minnen, MRAM, som lagrar en gigabit vardera. Det är världens första i sitt slag. Samtidigt samplar företaget sina första MRAM som lagrar 256 Mbit. Båda minnena är tillverkade på 300 mm-skivor hos Globalfoundries, som också licensierat tekniken för att bygga in i framtida asicar.

Förra Electronica, för två år sedan, talade Everspin om att en övergång från 200 mm- till 300 mm-skivor var på gång. Då nämnde företaget att det etablerat en relation med ett foundry som ska tillverka MRAM-chip på 300 mm – nu är det officiellt att den okända tillverkaren är Globalfoundries.

Det är företagets andra minnesgenerationen, kallad ST-RAM (spin torque random access memory), som hanteras av Globalfoundries.

De två generationerna har sina olikheter, men också likheter.

Båda använder traditionella CMOS-skivor som grund. Konstruktionen är CMOS upp till metallager fyra, och i denna del integreras styrlogik, drivning, förstärkning och annat. Den två översta lagren består av den magnetiska delen med tunnelövergångar och magnetiska bitceller. Denna del hanterar Everspin i sin produktionslina i Arizona när det gäller den äldre minnesgenerationen tillverkad på 200 mm-skivor.

– Globalfoundries har licensierat vår teknik. Det betyder att företaget även hanterar den magnetiska delen på chipet i den nya generationen och att det i framtiden kan erbjuda det som inbyggt minne till sina asic-kunder, förklarar Phillip LoPresti, vd på Everspin till Elektroniktidningen.  

Ett dilemma med MRAM har varit de inte skalar särskilt väl jämfört med andra minnestekniker. Det är fortfarande sant, men med ST-RAM har detta faktum ändå luckrats upp.

Det nya 256 Mbitminnet som Everspin just nu samplar är tillverkat i 40 nm, medan engigabit-minnet som än så länge bara visats upp på en kiselskiva i företagets mässmonter, är tillverkat i 28 nm. Everspin har sina rötter i Freescales minnestillverkning. Företaget knoppades av år 2008, två år efter det att Freescale lanserat världens första kommersiella MRAM.

Hittills har Everspin skeppat cirka 60 miljoner minnen, tillverkade i dess fabrik i Chandler, Arizona. Det är bra för ett litet företag som har företag som Dell, Siemens, Airbus och BMW på kundlistan, men alldeles för lite för att locka minnesgiganter som Samsung, Micron med flera. Därför är Everspin fortfarande ensamt på marknaden.

– Men nu när vi kommit upp i storlek på minnena tror jag att vi kommer att se flera stora minnestillverkare som släpper MRAM i gigabitstorlekar framöver. Vi är också öppet för att licensierat ut vår teknik till företag som är intresserade.

Fortfarande är MRAM betydligt dyrare per bit än DRAM. Samtidigt kan MRAM vara ett kostnadseffektivt alternativ i tillämpningar där kravet på tillförlitlighet är stort och det därmed krävs batterier eller superkondensatorer för att garantera att data inte försvinner.

Även Globalfoundries har planer med sin MRAM-licens.

– Sent 2017 eller i början av 2018 kommer företaget att vara redo att erbjuda MRAM som inbyggda minnen i en 22 nm-process. På sikt ska företaget erbjuda MRAM i 12 nm och i en 14 nm FinFET-process, avslöjar Phillip LoPresti.

Everspin börsnoterades så sent som i oktober, vilket gör att företaget anser sig ha starkare muskler att ta sig in i framtiden. Företaget har cirka 100 anställda, de flesta i USA.

MER LÄSNING:
 
Branschens egen tidning
För dig i branschen kostar det inget att prenumerera på vårt snygga pappers­magasin.

Klicka här!
SENASTE KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Vi gör Elektroniktidningen

Anne-Charlotte Sparrvik

Anne-Charlotte
Sparrvik

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Anna Wennberg

Anna
Wennberg
+46(0)734-171311 anna@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)