JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.
 Annonsera Utgivningsplan Månadsmagasinet Prenumerera Konsultguide Om oss  About / Advertise
fredag 23 augusti 2019 VECKA 34
Ett icke flyktigt minne som ska kunna packas tätare samt vara snabbare och billigare än dagens flashminnen är vad Freescale just nu jobbar på att ta fram. Världens första 24 Mbit-variant har precis sett dagens ljus.
Freescale påstår sig ha tagit ett rejält kliv närmare produktion av en ny typ av icke flyktigt minne genom att tillverka världens första 24 Mbit-varianter. Minnet är tillverkat i kisel men baserat på en nanokristallstruktur istället för en ”floating gate”-arkitektur som traditionella flashminnen.


-         Industrin förväntar sig att konventionella flashminnen kommer att nå sin gräns inom de närmaste fyra åren och då inte längre gå att skala. Därför är det av yttersta vikt att ett fungerande alternativ tas fram, säger Claudine Simon på Freescale.


Dagens flashminnen består av ett lager polykisel för att hålla laddningen. Dilemmat är att när minnet skalas blir det allt svårare att undvika defekter som gör att laddningen läcker. Om man däremot använder en nanokristallarkitektur med cirka 600 nanokristaller var och en med en diameter på runt 50 Å så får man en konstruktion som inte drabbas av läckor.


Nanokristallminnen klassas som ett tunnfilmsminne och laddningen lagras i isolerade kristaller. Tekniken medför att oxidskiktet kan göras mycket tunt, vilket i sin tur innebär att arbetsspänningen kan skruvas ner markant.


Freescale hävdar dessutom att den nya minnesarkitekturen kräver klart färre masklager vid produktion än dagens flashminne. Fyra lager istället för elva. Nanokristallminnet kan också enklare produceras i en vanlig CMOS-process samtidigt som det använder mindre transistorer som matas med lägre spänning. Tillsammans gör detta att minnet kan integreras betydligt smidigare med framtida logik som produceras i allt finare processgeometrier.


24 Mbit-minnet är tillverkat hos Freescale i Austin, Texas, i en vanlig 90 nm CMOS-process. Företagets intention är att börja använda tekniken på allvar i 65 nm. De första provexemplaren ska finnas framme år 2008, medan planen är att minnet ska börja volymproduceras någon gång året därpå.

MER LÄSNING:
 
Branschens egen tidning
För dig i branschen kostar det inget att prenumerera på vårt snygga pappers­magasin.

Klicka här!
SENASTE KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Vi gör Elektroniktidningen

Anne-Charlotte Sparrvik

Anne-Charlotte
Sparrvik

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Anna Wennberg

Anna
Wennberg
+46(0)734-171311 anna@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)