Skriv ut
Svenska Transic har fått fram de första proverna av en bipolär krafttransistor i kiselkarbid som kan hantera 20 ampere och 600V. De har låga effektförluster, klarar mycket höga junction-temperaturer och har god immunitet mot kosmisk strålning.
Den svenska kiselkarbidtillverkaren Transic menar att bipolär krafttransistor i kiselkarbid är ett attraktivt alternativ till dagens kiselbaserade IGBT:er i tillämpningar där man värderar låga förluster, hög switchfrekvens och höga temperaturer.

Nu släpper företaget också en bipolär krafttransistor, kallad BitSiC0620, som påstås ha hela 60 procent lägre förluster i aktivt läge än vanliga IGBT:er i kisel med samma chipstorlek. Den låga förlusten beror av den låga mättningsspänningen, kollektor-emitter, vanligen betecknad VCESAT.

BitSiC0620 är normalt i off-läge, vilket enligt Transic är att föredra i krafttillämpningar. Den klarar över 600 V och har testats för temperaturer över 250°C, liksom ner till -80°C.
Kategori: Produkt