About / Advertise
Electronica Världens första ferroelektriska minnen – FRAM – som kan lagra 8 Mbit är vad Ramtron planerar att lansera nästa år. Om marknaden vill, kommer även ett 16 Mbit minne på sikt. Kretsarna tillverkas av Texas Instruments i företagets 130 nm-process.Alla tre nykomlingar matas med mellan 2,9 och 3,6 V och skriver extremt snabbt, på Ramtronspråk är fördröjningstiden lika med noll.
– Ja, FRAM skriver 500 gånger snabbare än ett EEPROM. Det gör att minnet snabbt kan spara data när kraften plötsligt försvinner. Egenskapen gör att minnet passar utmärkt som exempelvis en black-box i fordon, säger Duncan Bennett, marknadschef på Ramtron.
De tre nya familjerna är tillverkade i den nya 130 nm process som Ramtron utvecklat tillsammans med halvledargiganten Texas Instruments. Och som redan resulterat i ett minne om 4 Mbit.
– Den nya processen är verkligen ett stort steg framåt för oss. Nästa år kommer vi att släppa ett 8 Mbit minne och det finns inget som hindrar oss från att göra minnen som lagrar dubbelt upp på sikt.
Ytterligare en fördel med den nya processen är att arbetsspänningen kunnat skruvas ner till 2 V.
– Men vi vill komma längre och räknar med att nå ner till åtminstone 1,5 V, säger Duncan Bennett.
