Samsung stackar 30 nm DRAM och 20 nm NAND-Flash i minnesmoduler som enligt företaget innebär sänkt pris, ökad batteritid och ökad prestanda på de billigaste smarttelefonerna. Dessutom blir utvecklingsprocessen enklare.
Minneskomponenten kallas EMCP och går nu i massproduktion. DRAM-minnet är LPDDR2 DRAM (low power double-data-rate).Fyra gigabyte flash kombineras med 256, 512 eller 768 megabyte DRAM. Flashminnet kommer i form av e-MMC-kort (Embedded MultiMediaCard)
Dataöverföringstakten i DRAM:et är 1066 Mbit/s vilket enligt Samsung är dubbelt så högt i dagens MDDR. I jämförelse med 40 nm LPDDR2 DRAM ska prestanda vara 30 procent högre och strömförbrukningen 25 procent lägre.