JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Vassare transistorer i galliumnitrid

Vassare transistorer i galliumnitrid

Electronica 2012 Amerikanska RF Micro Devices har lanserat två effektförstärkare baserade på företagets andra generation galliumnitridprocess. Medan den första generationen av GaN-transistorer fokuserade på hög toppeffekt och verkningsgrad är det nu hög linjäritet som är målet.
– Vi ser att galliumnitrid börjar bli accepterat i exempelvis kabeltv-moduler. De två transistorerna som vi släpper nu är extremt linjära och passar att använda i point-to-point-lösningar för exempelvis LTE, säger Jim Gentile, ansvarig på RFMD.

Samtidigt påpekar han att transistorerna passar väl i olika former av radarsammanhang samt i militära kommunikationssystem.

Förstärkarna RFHA3942 och  RFHA3944 är det första i en nya familj GaN-kretsar och följer i spåren efter företagets tidigare serie av GaN-transistorer som främst siktat på så kallade CW-tillämpningar (continuous wave) samt tillämpningar med hög pulsad toppeffekt.

Nykomlingarna är avstämbara över ett brett frekvensområde – från dc till 4 GHz – och lämnar en toppeffekt på upp till 35 watt (RFHA3942) respektive 65 watt (RFHA3944). De arbetar vid 48 V, har förstärkningen är 15 dB och påstås nå en toppeffektivitet på över 55 procent

Effektförstärkarna finns att köpa från RFMD. Likaså finns fullt utrustade utvärderingskort optimerade för 2,14 GHz och 48 V för de två förstärkarna.

– Härnäst planerar vi att komma med ytterligare familjemedlemmar, en som ger 10 watt och en som ger 95 watt. De kommer inom de närmaste året, säger Jim Gentile.











MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Anne-Charlotte Lantz

Anne-Charlotte
Lantz

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)