JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.
 Annonsera Utgivningsplan Månadsmagasinet Prenumerera Konsultguide Om oss  About / Advertise
måndag 20 maj 2019 VECKA 21

Microchip har breddat sin portfölj av kraftkretsar i kiselkarbid genom sitt dotterbolag Microsemi. Företaget lanserar 700 V MOSFET:ar samt 700 V och 1 200 V Schottky-barriärdioder – allt tillverkat i SiC.

Microchip satsar starkt på kiselkarbid genom köpet av Microsemi. Tillsammans med de egna välkända styrkretsarna och analoga kretsarna vill företaget nyttja den nya portföljen SiC-kretsar för att erbjuda lösningar med fokus på hög verkningsgrad och effekttäthet.

Företaget anger att drygt 35 diskreta kretsar har lagts till portföljen. Allt finns att få i volym, erbjuds med en rad olika spänningar, märkström och kapslar och stöds av utvecklingstjänster, verktyg och referenskonstruktioner.

Microchip hävdar att de egna nya Schottky-barriärdioderna i SiC har runt 20 procent bättre prestanda jämfört med andra SiC-dioder vid tålighetstest (UIS, Unclamped Inductive Switching) som mäter hur väl kretsarna kan motstå försämring eller förtida fel som uppstår då en spänningsspik överstiger kretsens genomslagsspänning.

Även de nya MOSFET:ar påstås klara liknande tålighetstester bättre än alternativen.

Den nya produktportföljen kommer i ett antal olika kapslingsalternativ och siktar på tillämpningar inom industri, flyg- och rymd samt försvar.

MER LÄSNING:
 
Branschens egen tidning
För dig i branschen kostar det inget att prenumerera på vårt snygga pappers­magasin.

Klicka här!
SENASTE KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Vi gör Elektroniktidningen

Anne-Charlotte Sparrvik

Anne-Charlotte
Sparrvik

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Anna Wennberg

Anna
Wennberg
+46(0)734-171311 anna@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)