Hynix Semiconductor, Nanaoamp Solutions och Winbond Electronics har anslutit sig till den företagsgrupp som utvecklar minnesspecifikationen CellularRAM.
Tillsammans med den tidigare kärntruppen, Cypress, Infineon och Micron, ska företagen nu skapa gemensamma specifikationer för framtida CellularRAM för att möta kraven på högre minnesdensitet och bandbredd i kommande 2,5- och 3G-mobiler.
CellularRAM är ett pseudo-SRAM (PSRAM), ett minne med DRAM-arkitektur som utvecklats för att göra teknikövergången från statiska till dynamiska RAM i mobiltelefonen smidig. Expansionen av arbetsgruppen som utvecklar CellularRAM har stor betydelse främst för att tekniken därmed även stöds av asiatiska företag. Hittills har tre CellularRAM-generationer utvecklats som omfattar minnesstorlekar från 16 Mbit till 256 Mbit.