Forskare på Nist har i samarbete med IBM och RF Micro Devices utvecklat metoder som gör att man kan mäta det termiska bruset som orsakas av att elektronerna rör sig i en CMOS-transistor. Tanken är att konstruktörer i framtiden ska kunna använda dessa metoder för att finjustera sina konstruktioner. Exempelvis skulle de kunna användas för att ge optimal signalen, datahastigheten och batterilivslängden i mobiltelefoner, hävdar Nist.

Forskarna menar också att de har metoder för att mäta ”omvänt” brus, alltså det brus som transistorns ingång emitterar då den reflekterar och sprider den inkommande signalen. Metoden påstås kunna användas för att avgöra vilken impedans som minimerar bruset.