Minnesgiganten Samsung har släppt prover av NAND-flashminnen som är tillverkade i 50 nm. Minnena lagrar 16 Gbit och ska främst användas som hårddisk i bärbara produkter.
Samsungs första NAND-flashkretsar i 50 nm har en flernivåsteknik (multi-level cell) som lagrar 4 kbyte per sida istället för traditionella 2 kbyte per sida. Den nya sidarkitekturen gör att minnets läshastighet dubbleras samtidigt som skrivhastigheten ökar med 150 procent, hävdar Samsung. Planen är att det nya 16 Gbit minnet ska börja volymtillverkas under första kvartalet i år. Och förhoppningen är att det ska bana väg för flashbaserade hårddiskar i framtid tillämpningar.