Världens mest hårdpackade minneskrets har skapats av ett amerikanskt forskarteam med rötter i Caltech och UCLA.

– Det här är den sortens minne som Intel räknar med att tillverka år 2020, men för tillfället gynnar det oss då vi vill lära oss hur man kan tillverka elektronik i molekylär storlek, säger James Heath som är projektledare och professor på Caltech till EE Times.

Han förklarar att bitarna i minnet är arrangerade i ett rutmönster med 400 kiseltrådar korsade av 400 titantrådar, med ett lager switchar emellan. Varje trådkorsning representerar en bit, och varje sådan bit är 15 nm bred. Det kan jämföras med dagens mest kompakta minne som har en bitbredd på 140 nm.

–  Om det här minnet någonsin kommer att kunna användas i bärbara datorer vet vi inte ännu. Men vi har tid på oss, säger James Heath.