De två minnestillverkarna Micron och Qimonda har båda visat upp prover av nästa DRAM-generation, kallad DDR3. Den forne DRAM-ledaren, Samsung, ligger snäppet efter.
– Länge har vi väntat på att DDR3-minnen som lovar dubbla hastigheten jämfört med DDR2 ska komma ut på marknaden. Det som förvånar oss är att Qimonda och Micron släpper kretsar före Samsung, säger Jenn Markey, chef på analysföretaget Semiconductor Insight till nättidningen EE Times.DDR3 är extremt snabba DDR-minnen som lovar datahastigheter mellan 800 och 1 600 Mbit/s. De matas dessutom med lägre spänning, runt 1,5 V, än äldre generationr. Därmed minskar effektförbrukningen och således också värmespridningen, vilket enligt Semiconductor Insight ger längre batteritid i bärbara system.
Microns planerar är att volymproducera DDR3 om 1 Gbit samt erbjuda prover av 2 Gbit-versioner under mitten av året. Qimonda har redan släppt DDR3, medan Samsung flaggar för att DDR3 kommer vid årets mitt.