Koreanska Samsung har utvecklat en teknik som gör att DRAM-chip kan packas effektivare än tidigare. För första gången kan trådbondning överges vid stapling av minnen. Istället används vior.
När dagens minnen staplas på höjden i en flerchipsmodul (MCP) används trådar för att förbinda dem. Tekniken kräver att chipen ligger separerade ifrån varandra. Det handlar om några tiotals mikrometer i vertikalled och några hundratals mikrometer i horisontalled. Trots att det handlar om extremt små avstånd har de skapat oro för att nästa DRAM-generation ska drabbas av prestandaförluster. Samsungs medicin är att ersätta trådar med metallförbindningar i form av laserritade vior fyllda med koppar. Företaget hävdar det är första gången någon lyckats förbinda staplade minnen på detta sätt. Provkretsen som man tagit fram innehåller fyra 512 Mbit DDR2 DRAM. Samsung hävdar att företaget i framtiden kan göra DIMM-moduler som rymmer upp till 4 Gbyte med den nya tekniken och att den kommer att användas i datorsystem år 2010 och därefter.
Koreanen har ännu inte avslöjat någon kommersiell tidsplan för den nya förbindningstekniken. Snarare var det nog så att IBM:s avslöjande om en liknande teknik tvingade Samsungs till att gå ut officiellt.
Redan nästa år ska IBM börja sälja effektförstärkare som förbinds med jordplanet
genom mer än 100 metalliserade vior. Företaget hävdar att förbindningstekniken används för vissa nyckelkomponenter i mobiltelefoner och wifi-adaptrar så kan effektförbrukningen minska med hela 40 procent.