Japanska NTT Docomo har visat upp en första halvledarkrets avsedd för 3G-tekniken LTE, Long Term Evolution. Kretsen har i tester klarat att ta emot 200 Mbit/s med mimo-multiplexering, och då bara dragit 0,1 W.
När Ericsson i vintras visade upp det första fungerande LTE-systemet, på mässan 3GSM i Barcelona, väckte det vederbörligt uppseende. Men det systemet var byggt som en prototyp, huvudsaklingen med hjälp av FPGA-kretsar. Nu kommer de första dedikerade halvledarna för LTE. Den brittiska tidningen Electronics Weekly rapporterar om NTT Docomos framsteg - en krets som demodulerar och demultiplexerar ODFM-signaler från fyra antenner i ett Mimo-system, med 20 MHz bandbredd och då nå en datatakt på 200 Mbit/s. Hur snabbt LTE kommer att bli i verkligheten återstår att se - noteras kan att Ericssons demonstratornät nådde 144 Mbit/s.
Signalbehandlingen i kretsen bygger på en teknik kallad MLD, Maximum Likelihood Detection, som NTT Docomo utvecklat tidigare.
Företaget poängterar att kretsen, tack vare "avancerad effektbesparande signalbehandling" gjorts så strömsnål som 0,1 W under drift. Det ska enligt företaget vara tillräckligt lite för att kretsen redan i sitt nuvarande skick ska kunna fungera i LTE-terminaler.