Flashminnespartnerna Sandisk och Toshiba planerar att släppa prover av NAND-flashminnen om 16 Gbit tillverkat i 43 nm. Samtidigt avslöjar företagen att de har utvecklat en NAND-arkitektur som lagrar tre bitar per cell. Prover kommer inom kort.
Sandisk och Toshiba utvecklar NAND-flashprocesser i flernivåsteknik i gemensam regi och innan sommaren kommer de två förtagen att börja leverera NAND-minnen tillverkade i 43 nm. Det nya minnet lagrar 16 Gbit på 120 kvadratmillimeter, vilket är cirka 30 procent mindre yta än vad dagens 16 Gbit-minnen tillverkade i 56 nm kräver. De första kretsarna i 43 nm kommer under våren. Under andra halvan av 2008 kommer kretsar som rymmer 32 Gbit.
Samtidigt som Sandisk och Toshiba berättar om den planerade processkrympningen avslöjar företagen planer på att börja tillverka världens första kommersiella NAND-arkitektur som lagrar tre bitar per minnescell. Minnena tillverkas i 56 nm, rymmer 16 Gbit och får en skrivhastighet om 8 Mbyte/s. Volymproduktionen ska vara igång under mars eller april.