I en pressrelease säger Stanford Nanofabrication Facility (SNF) att man tilsammans med Koreabaserade National NanoFab Center (NNFC) och Oregonbaserade BeSang lyckats med "ett genombrott" inom tredimensionell halvledarteknik genom att producera högpresterande minnen med stora inbyggda minnesblock, allt till låg kostnad.

3D-kretsarna producerades på en 8 tums kiselskiva i standard 0,18 µm CMOS-teknik hos såväl NNFC som SNF. Testkretsarna innehåller 128 miljoner vertikala kretsar som processats vid så låg temperatur som 400 ˚C. Ovanför de vertikala strukturerna lyckades forskarna lägga ett mikrometertunt lager kristallint kisel med två metallager, och därpå fler vertikala kretsar och ytterligare ett kisellager.

Tredimensionella kretsar har varit ett ämne för många forskare under lång tid, men tekniska svårigheter som att processa med hög temperatur och begränsad konnektivitet har gjort att framstegen varit små. Målet att få in fler transistorer på liten yta hägrar dock alltjämt.

 

BeSangs 3D-kretsar kombinerar flera goda egenskaper, som korta processteg, ordnade tredimensionella block, tunna kontakteringslager, och bearbetning i låg temperatur. Detta gör att forskarna tror sig kunna erbjuda lösningar till låg kostnad åt halvledarindustrin.