Minnescellen som de belgiska forskarna nu presenterar påstås vara den minsta i sitt slag med sina 0,099 µm². Det kan jämföras med 0,186 µm² som är storleken på den 32 nm minnescell som Imec presenterade förra året. I båda fallen har EUV-teknik använts för att tillverka kontakthålen. Nytt denna gång är att även det första metallagret i kretsen, som förbinder transistorerna, tillverkats med EUV.

Vid tillverkningen har Imec använt EUV-verktyg från holländska ASML och deponeringssystem från amerikanska Applied Materials.

– Detta är en viktig milstolpe både vad gäller utveckling av 22 nm-processer och EUV-litografi. Vår SRAM-cell visar att EUV-tekniken gör stora framsteg som ett kostnadseffektivt alternativ och vi tror att tekniken är en framtida kandidat för 22 nm-tillverkning, säger Luc Van Den Hove, chef för Imec i ett pressmeddelande.

År 2016 ska halvledarutvecklingen ha nått så långt att geometrierna kommit ner till 22 nm, enligt branschens gemensamma framtidsplan. För att nå dit måste den ljusstrålning som används vid litografin också komma ner i våglängd, men att använda den extremt korta våglängden 13,5 nm är mycket svårt. Och fortfarande är många skeptiska till tekniken.