Inbyggda minnen är en huvudingrediens för att kunna skapa effektiva flerkärniga processorer. Det hävdar halvledarjätten IBM som utvecklat ett eDRAM i 32 nm som påstås vara industrins minsta, mest kompakta och snabbaste dynamiska minne ämnat för inbyggnad.
Halvledarjätten IBM har utvecklat ett inbyggt DRAM – eDRAM – i kisel-på-isolator-teknik (SOI) som påstås utklassa dagens motsvarigheter tillverkade i vanlig CMOS. SOI-tekniken ger 30 procent högre prestanda och 40 procent lägre effektförbrukning än då standard CMOS utnyttjas, hävdar IBM. Genom att inbyggda DRAM dessutom bara kräver en transistor per minnescell kan de göras extremt kompakta och snabba jämfört med inbyggda SRAM i 32 och 22 nm, menar företaget.
Det nya minnet är tänkt att användas i servrar, skrivare och nätverksutrustning, men sägs också passa för mobiltelefoner och annan konsumentelektronik.
Hittills har enbart testchips tagits fram, men IBM avslöjar att några foundrykunder redan jobbar med tekniken. Samarbetspartnern Arm har dessutom utvecklat ett första tillgängligt konstruktionsbibliotek för minnestekniken i 32 nm. På sikt ska Arm även inkludera konstruktionsregler för eDRAM i 22 nm.