Litografitrustningen från ASML, kallad Twinscan NXE:3100, ska användas för kommande halvledarteknik i TSMC:s så kallade Gigafab, även kallad Fab 12. Någon massproduktion handlar det inte om än så länge, utan ren forskning och utveckling. Och det är inte ens säkert att EUV är den teknik man kommer att använda för framtida massproduktion.

– EUV är en av de nästa generationers litografiteknik vi undersäker, säger TSMC:s forskningschef Shang-yi Chiang i ett pressmeddelande.

EUV-området anges vanligen till 10-120 nm våglängd. För litografiändamål används dock våglängden 13,5 nm. I labb har halvledare med geometrier ner till 22 nm producerats med EUV-teknik.

TSMC må vara den första renodlade uppdragstillverkaren av halvledare att anamma tekniken. Men EUV utvärderas redan av många andra tillverkare, som Intel, IBM, AMD och forskningsinstituten Imec och Sematech. Intel har dock sagt att man inte tänker ta EUV i bruk för sin planerade 15 nm-process, utan räknar med att lösa utmaningarna med konventionell teknik.

EUV har funnits i labb sedan 1990-talet, men ännu inte fått något kommersiellt genomslag. Ett stort problem med EUV-tekniken är att fotonerna är mycket mer energirika, uppemot 92 eV jämfört med 6,4 eV för ljus med 193 nm våglängd. Detta gör det svårt att få tillräckligt jämn kvalitet i litografin.