En snabbswitchande och effektiv DC/DC-omvandlare demonstreras på kraftkoferensen APEC 2013 som just nu pågår i Long Beach i Kalifornien. Switchen i galliumnitrid är självklart nyckelkomponenten.
På APEC 2013 – The Applied Power Electronics Conference and Exposition visas flera nya intressanta skapelser på power-temat för första gången. Amerikanska Arkansas Power Electronics International, APEI och kandensiska GaN Systems demonstrerar en DC/DC-omvandlare baserad på effekttransistorer i galliumnitrid vars tillslagstid anges till 8,25 ns och frånslagstid till 3,72 ns.
Enligt testresultat kan omvandlaren switcha med 1 MHz och nå en verkningsgrad över 98,5 procent vid 5kW uteffekt.
Omvandlaren som demonstreras har boost-arkitektur. Däremot sägs inget om vilka in- och utspänningar eller strömmar som den hanterar. Eller hur det ovan nämnda testet har gått till.
Samarbetsprojektet har finansierats av Sustainable Development Technology Canada, vars mål är att tekniken i framtiden ska kunna användas för att effektivisera hybrid- och elfordon.
I samband med konferensen bekräftar GaN Systems att RFMD är företagets foundry-partner sedan två år.