Skriv ut
Tyska Infineon köper amerikanska International Rectifier för cirka 3 miljarder dollar. Båda företagen har en stark portfölj inom krafthalvledare och det som främst lockar Infineon är IR:s expertis inom galliumnitrid, GaN, för krafthalvledare.
Åter är det dags för en storaffär inom halvledarindustrin. I somras köpte Analog Devices rf-specialisten Hittite Microwave för runt 2 miljarder dollar och i februari blev det klart att RF Micro Devices köper TriQuint Semiconductor för cirka 1,6 miljarder dollar.

Infineons köp av IR är årets hittills största inom halvledarindustrin. Det tyska företaget betalar 40 dollar per aktie i en kontantaffär, vilket motsvarar cirka 3 miljarder dollar. Affären väntas vara avslutad i slutet av detta år eller i början av 2015, med förbehåll för konkurrensmyndigheters godkännande.

För Infineon är detta ett viktigt kap. De två företagen är starka inom krafthalvledare, men  produktportföljerna kompletterar varandra väl. IR:s portfölj inom lågeffektkretsar, energieffektiva IGBT:er och kraftmoduler, power MOSFET:ar samt digital krafthantering passar, enligt Infineon, väl in i det tyska företagets portfölj av kraftkomponenter och kraftmoduler.

Framförallt trycker Infineon på den positiva effekten som affären utgör på företagets kompetens inom så kallade sammansatta halvledarmaterial (compound semiconductors) som GaN och SiC.

IR erbjuder sedan förra året lågspända GaN-lösningar som bland annat Samsung påstås använda. Och företaget har kommit långt inom GaN-på-kisel, en materialmix som spås kunna utmana kiselkarbid, SiC, inom kraftelektronik framöver. Infineon är starkt inom SiC och har sedan tidigare GaN-baserade krafthalvledare, men i och med denna affär har företaget skaffat sig ett ännu starkare fotfästen inom GaN-området.

Enligt Infineon breddar affären även företagets marknadsnärvaro, då International Rectifier har en mycket stark närvaro i USA men också en god position i Asien.