Skriv ut

Är du intresserad av att lära mer om halvedare med brett bandgap, som kiselkarbid och galliumnitrid? Eller av att starta projekt med delfinansiering från Energimyndighetens program inom samma område? Då kan seminariumet som WBG Power Center arrangerar den 22 november vara värt ett besök.

WBG Power Center – ett initiativ av Rise Acreo, KTH och Swerea Kimab – ordnar ett seminarium i syfte att sprida erfarenheter inom SiC och GaN, men också för att nå ut till nya aktörer, främst företag.

Det aktuella seminariet, döpt till ”SiC Power MOSFETs performance, robustness and reliability, status and trends”, är öppet för alla.

Det är Alberto Castellazzi, professor vid Nottinghamuniversitetet, som talar om tillförlitligheten hos MOSFET:ar i kiselkarbid. Han har forskat inom kraftelektronik i nära 20 år och här tittar han speciellt på robusthet – det vill säga hur mycket SiC-transistorerna tål under extrema påfrestningar, som kortslutning, som är ett intressant felfall i många tillämpningar.

Alberto Castellazzi presenterar även utvecklingen av SiC MOSFET:ar – från 650 V upp till 3,3 kV – som skett under de senaste sju åren.

Seminariet arrangeraras den 22 november mellan kl 10 och 12 på KTH, Teknikringen 33, entréplan, sal Ivar Herlitz.

Här kan du anmäla dig (länk).

Under seminariet informerar WBG Power Center också om Energimyndighetens BBG-program och dess årliga utlysning. Programmet har det fullständiga namnet ”Bredbandgapselektronik i energieffektivare kraftelektroniktillämpningar”.

Kategori: Nyheter