Skriv ut
Infineon lanserar två nya DDR-minnen, RLDRAM samt SGRAM för höghastighetstillämpningar inom nätverk och grafik.
Båda minnena är tillverkade i en process med kanallängden 0,17 µm och klockas med 300 MHz.
 
RLDRAM (Reduced Latency DRAM) är ett höghastighetsminne för kommunikations- och nätverkstillämpningar. Genom en minnesarkitektur baserad på direkt adressering behövs ingen multiplexering, vilket ger mindre fördröjning i kommunikationsnäten.
 
Genom att dessutom addera ett SRAM-liknande gränssnitt för dataåtkomst, blir åtkomsten av data i minnesbanken effektivare och cykeltiden kan förkortas till 26 ns. Minnet kommer i storleken 256 Mbit i en FBGA-kapsel med 144 ben.
 
Prover dyker upp under årets tredje kvartal, medan volymproduktionen ska starta i början på nästa år.
 
SGRAM (Synchronous Graphics RAM) är ett höghastighetsminne för grafik med en överföringskapacitet på 2,4 GByte/s. Det kommer i storleken 128 Mbit och är lämpat för busstillämpningar om 32, 64, 128 och 256 bitar.
 
SGRAM kapslas i en XBGA med 144 ben som har förbättrad termisk och elektrisk prestanda.
 
De första proverna väntas inom kort, medan volymproduktionen ska vara igång mot slutet av året.


Lisa Ringström