Intel kunde i början av året visa upp en 4 Mbit OUM-krets tillverkad i en 0,18 μm CMOS logikprocess. Den sägs klara 1012 läs- och skrivcykler, och data förstörs inte vid skrivning.

Liksom all OUM-teknik så bibehåller minnet sitt innehåll även utan matningsspänning. Intel går nu vidare till en 0,13 μm-process, men när kommersiella produkter är att vänta avslöjar företaget inte. Intels licensierar OUM-teknik från Ovonyx, som också samarbetar med bland annat ST Microelectronics.

OUM-tekniken är effektsnål, betydligt snabbare än flash, men långsammare än DRAM. En stor fördel är att OUM-cellerna är små och kan packas mycket tätt, vilket borgar för lågt styckepris eftersom tekniken dessutom sägs vara enkel att tillverka.

OUM lagrar 1:or och 0:or genom att ändra resistansen i en glasliknande legering. När materialet hettas upp av en resistor så ändrar det fas: från ledande kristallstruktur till isolerande amorf struktur.

Charlotta von Schultz