Innoscience befinner sig i två separata patentstrider med amerikanska Efficient Power Conversion (EPC) och tyska Infineon. Bägge rör kraftkomponenter i galliumnitrid.

Infineons stämning handlar om en vertikal HEMT i en ytmonteringskapsel med återkoppling till source vilket ger möjlighet att mäta parasitinduktansen, något som kan användas för att minska switchförlusterna vid höga frekvenser.

I praktiken avser stämningen Innoscience kretsar för 650 och 700 volt.

I januari kontrade Innoscience med en stämning i Kina.

Utslaget i München förbjuder Innoscience att sälja komponenterna i Tyskland plus att företaget ska betala skadestånd. Hur stor det blir är inte bestämt och Innoscience har möjlighet att överklaga.

PC- och mobilindustrin har anammat kraftkomponenter i galliumnitrid vilket fått efterfrågan att lyfta snabbt. Men även omvandlare för större effekter är på väg att bli kommersiella. Enligt analyshuset Yole Group kommer marknaden att fortsätta växa med någonstans mellan 50 och 70 procent per år för att uppgå till 2 miljarder dollar år 2028.

Drivkrafterna är det mycket låga inre motståndet i kombination med snabb switchning, vilket gör att förlusterna i kraftomvandlarna blir mindre än med motsvarande kiselkomponenter, samtidigt som de dessutom är mindre.

Samtidigt som Innoscience är indraget i två patentprocesser kring GaN-teknik initierade av amerikanska EPC och tyska Infineon har fransk-italienska ST Microelectronics inlett ett samarbete med det kinesiska bolaget. ST får tillgång till Innoscience resurser i Kina medan Innoscience får tillgång till ST:s resurser i framförallt Europa.

Bolagen ska utveckla GaN-komponenter tillsammans men avtalet ger också Innoscience tillgång till ST:s fabbar utanföra Kina för att tillverka GaN-chip.

ST kan å sin sida utnyttja Innoscience fabbar i Kina för sina GaN-produkter.