Dresdenbaserade Ferroelectric Memory Company (FMC) har säkrat 100 miljoner euro. Pengarna ska användas för att kommersialisera företagets FRAM-baserade minnen, som uppges kunna mer än fördubbla systemeffektiviteten i datacenter.
FMC bygger sina patenterade minnesceller på ferroelektrisk hafniumoxid, ett material som redan används i moderna CMOS-processer. När hafniumoxid tvingas in i en ortorombisk kristallfas skapas två stabila laddningslägen där omslaget styrs av ett elektriskt fält.
Minnet är icke-flyktigt, data finns kvar även när strömmen stängs av.
Till skillnad från konventionella DRAM krävs ingen energikrävande kondensator och inga refresh-cykler. Dessutom är läshastigheten hög och minnet tål de höga temperaturer som krävs av fordonsindustrin men också för industriella tillämpningar och i datacenter.
Enligt FMC kan företagets minnen, som döpts till DRAM+ och 3D CACHE+, mer än fördubbla systemeffektiviteten i framtida AI-datacenter.
Tekniken ska vara skalbar ner till åtminstone 10 nm.
Företaget fyller nu på kassan med 100 miljoner euro för att kommersialisera tekniken. I planerna finns också en fabrik i tyska Magdeburg för tillverkningen.