Den 30 januari invigdes den första av de fem pilotlinor som skapas inom ramen för EU:s Chips Act. Det handlar om Fames, den franska pilotlinan i Grenoble för strömsnåla kretsar på FD-SOI.
Fames kommer att kosta totalt 830 miljoner euro där både EU och deltagande medlemsstater, framförallt Frankrike, deltar. Fokus ligger på FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator) på 10 nm och så småningom även 7 nm. Tillverkningstekniken har ett tunt isolerande skikt under varje transistor vilket gör det möjligt att köra kretsarna vid betydligt lägre spänningar.
Resultatet är upp till 30–40 procent lägre energiförbrukning jämfört med konventionella CMOS-processer.
Tillämpningarna finns inom bland annat IoT, edge, fordon och 5G/6G-system men också försvars-, rymd- och medicinteknik.
Konsortiet bakom Fames består av elva europeiska forskningsorganisationer med CEA-Leti som koordinator. Dessutom finns stöd från mer än 40 industripartners inklusive ST Microelectronics, Soitec, Siemens, Nokia, Globalfoundries och ASML.
Även om invigningen var i förra veckan körde Fames den första utlysningen redan i mars i fjol. Det kommer fler utlysningar i år. Dessutom finns ett fyraårigt utbildningsprogram med kurser och workshops.