Under 2030-talet kommer vi att mäta halvledarprocesserna att räknas i ångström. Det förutspår amerikanska IBM efter att att ha utvecklat en halvledarteknik i 7 Å. Det är första gången vi är under drömgränsen 1 nm.
IBM hoppas tekniken är i bruk om fem år.
Tekniken kallas för en nanostack i 3D och rymmer dubbelt så många transistorer per ytenhet som den 2 nm-teknik som IBM presenterade år 2021.
IBM tar ett fingertoppsstort chip som exempel [är det en SI-enhet? reds anm]. Det ska rymma 100 miljarder transistorer.
Tekniken använder staplade lager med olika materialkombinationer. Den ska ge upp till 50 procent högre prestanda, eller 70 procent bättre energieffektivitet än IBM 2 nm.
Tekniken har utvecklats vid IBM och partners forskningsanläggning i Albany, New York.
Läs mer om tekniken här (länk).