Power Integrations har presenterat vad företaget beskriver som världens första 2200-volts GaN-teknik. Det nya PowiGaN-steget flyttar galliumnitrid in i spänningsområden som hittills i huvudsak dominerats av kiselkarbid (SiC), samtidigt som den höga switchfrekvensen hos GaN kan utnyttjas även i betydligt kraftfullare kraftomvandlare.
Den högre spänningsklassen är främst avsedd för nästa generations AI-datacenter, elfordon, solcellsväxelriktare, batterilager och HVDC-system. Branschen går mot allt högre likspänningsnivåer – från dagens 800-voltsarkitekturer mot 1 500 volt – för att minska förluster och öka effekttätheten. Enligt Power Integrations ger 2200-voltsklassningen tillräcklig marginal även för framtida system.
Den nya tekniken bygger på företagets PowiGaN-cascodearkitektur, där en högspänd GaN HEMT kombineras med en lågspänd kisel-MOSFET. Lösningen ska ge enklare drivning, hög robusthet och möjlighet att ersätta SiC i fler tillämpningar tack vare högre switchfrekvenser och lägre switchförluster.
Power Integrations uppger att komponenten har verifierats med en spärrspänning över 4 kV och att den har demonstrerat kontinuerlig switchning vid toppspänningar över 1 500 volt, närmare bestämt 1 760 volt under ett 20 timmar långt test.
De första produkterna baserade på 2200-voltsplattformen är fortfarande under utveckling. Företaget bedömer dock att tekniken öppnar en marknad värd över en miljard dollar och pekar på AI-datacenter och högspända energisystem som de viktigaste tillväxtområdena.
En white paper -dokument kan hittas här.