EPC Space lanserar tre strålningshärdiga GaN-transistorer för kraftmatning av processorer och acceleratorer i satelliter och andra rymdsystem. Målet är bland annat att kunna försörja FPGA- och GPU-plattformar med betydligt högre effekttäthet än med traditionella kisellösningar.
De nya komponenterna EPC7050PCSH, EPC7066PCSH och EPC7065PCSH är specificerade för 15, 25 respektive 40 volt. Samtliga klarar 101 ampere kontinuerlig ström och har ett typiskt RDS(on) på mellan 0,28 och 0,5 milliohm.
Det intressanta är användningsområdet. När allt kraftfullare beräkning, inklusive AI, flyttar ut i rymden ökar kraven på lokala spänningsomvandlare nära processorn. EPC Space pekar uttryckligen ut exempel som AMD:s Versal-SoC:er och Nvidias GPU:er.
Transistorerna är avsedda för bland annat point-of-load-omvandlare och integrerade spänningsregulatorer som kan generera kärnspänningar kring 0,8 volt direkt intill processorn. De kan också användas på sekundärsidan i mellanledsomvandlare med utspänningar på 5–12 volt.
GaN-tekniken ger låga ledningsförluster och snabb switchning, vilket gör det möjligt att höja switchfrekvensen och samtidigt minska storleken på kraftomvandlaren. Komponenterna har dessutom ingen reverse-recovery-laddning.
För rymdtillämpningar är strålningståligheten avgörande. EPC anger en total joniserande dos, TID, på över 1 Mrad och tålighet mot single-event-effekter upp till LET(Si) 85 MeV cm²/mg. Neutrontåligheten anges till över 4 × 10¹⁵ neutroner per kvadratcentimeter.
Komponenterna levereras i kompakta PQFN-kapslar med termisk kontakt på undersidan.