Skriv ut
Toshiba är först i världen med NAND-minnen som lagrar 16 Gbit. Minnet är tillverkat i 56 nm och utvecklat i samarbete med Sandisk.
Två hårdpackade NAND-minnen är vad Toshiba visar upp. Det ena lagrar 16 Gbit, det andra 8 Gbit. Båda är tillverkade i 56 nm och lagrar två bitar per minnescell. Tillsammans gör detta att dubbelt så mycket data kan lagras per ytenhet, jämfört med minnen tillverkade i 70 nm.

Det mindre minnet finnas att få i provexemplar, medan volymproduktionen ska vara igång innan utgången av januari. Minnet som lagrar 16 Gbit kommer i prover under mars och väntas i volymer månaden därpå.

De nya minnena skriver dubbelt så snabbt som tidigare minnesgeneration från Toshiba, hela 10 Mbyte per sekund. Sidstorleken är 4314 byte, varvid en sida skrivs på 800 µs. Åtkomstiden är vid första access som mest 50 µs, därefter är den minst 30 ns vid seriell access. Minnena matas med 2,7 – 3,6 V och kapslas i en TSOP med 48 ben.