Amerikanska UnitedSiC påstår sig ha släppt FET:ar i kiselkarbid som har industrins lägsta motstånd mellan drain och source RDS(on) – låga 7 mohm. Det gör dem speciellt lämpade att användas i exempelvis elbilar, kraftomvandlare och batteriladdare, hävdar företaget.
UnitedSiC är speciallist på SiC-komponenter. Nu lanserar företaget fyra FET:ar med verkligt lågt motstånd mellan drain och source.
Den ena, UF3SC065007K4S, kan nyttjas upp till 650 V och har 6,7 mohm RDS(on). De andra tre är alla 1200V-versioner med RDS(on) från knappa 9 mohm till 16 mohm.
– Det som är speciellt viktigt är att vi har nått industrins lägsta RDS(on), det gäller alla komponenter i den här klassen, säger Anup Bhalla, utvecklingschef på UnitedSiC, i ett pressmeddelande.
Lösningen bygger på en egen kaskadkopplad konstruktion. I en vanlig TO247-kapsel sitter en JFET i SiC – som leder utan pålagd gate-spänning (normally-on) – i serie med en lågspänd MOSFET i kisel. Konfigurationen skapar en snabb, effektiv enhet i ett välkänt format som kan drivas med samma spänningar som IGBT och MOSFET:ar kisel samt MOSFET:ar i SiC.
– De kan användas som drop-in-ersättare för mindre effektiva kretsar i en mängd tillämpningar, med litet eller inget extra konstruktionsbehov.
Prover finns att få av alla fyra versioner, medan volymtillverkningen ska vara igång under andra kvartalet år 2020.
Flaggskeppet UF3SC120009K4S, 1 200V-versionen med lägst RDS(on), kostar cirka 60 dollar styck vid köp om minst 1 000 stycken.