Microchip lanserat sina första MOSFET:ar i kiselkarbid som hanterar hela 3,3 kV. Likaså adderar företaget 3,3 kV Schottkydioder till sin befintliga SiC-portfölj.
Nu breddar Microchip sin pallett av SiC-kretsar med både MOSFET:ar och Schottkydioder som hanterar 3,3 kV. Sedan tidigare har företaget MOSFET:ar och Schottkydioder i SiC på 700 V, 1200 V och 1700V, vilket också är där huvudmarknaden för SiC-kretsar är idag.
Än så länge finns det väldigt begränsat med SiC-baserade kretar på 3,3kV. Därför kan det tyckas lite intetsägande att påpeka att de nya MOSFET:arna har industrins lägsta Rds(on), och att Schottkydioder har industriledare strömmärkning.
Tanken är att de nya kretsarna ska ta en plats i framtida tillämpningar som kräver högspänd switching, exempelvis traktion, reservkraft, transformatorer, industriell motordrift och energiinfrastruktur. Jämfört med klassiska kiselalternativ ger SiC högre verkningsgrad och lägre systemkostnad, påpekar Microchip.
De nya 3,3kV-kretsarna går att få okapslade (die) samt som diskreta kretsar i en mängd olika kapslingsalternativ. Inga priser anges.