50 procent lägre switchförluster och 40 procent lägre on-resistans utan att risken för kortslutning ökar. Så presenterar japanska Rohm sin fjärde generation av MOSFET:ar i kiselkarbid.
Precis som föregångarna är transistorerna av trenchtyp men har flexiblare krav på drivning än tidigare. De fungerar med 15–18 V plus att de har unipolär (0 V) turn-off.
Rohm har släppt 22 modeller varav 12 är certifierade enligt fordonsstandarden AEC-Q101. De är på 700 V eller 1200 V, 24 till 105 A, 13 till 62 mΩ och 93 och 312 W.
Kapslingsalternativen är TO-247-4L, TO-247N och TO263-7L.
Om man som exempel tar den komponent som är specificerad för högst ström (750V 105A TO-247-4L SCT4013DR) så har den typiskt 13 mΩ. Vid 25°C är den maximalt 16,9 mΩ. Resistansen ökar till 22,2 mΩ vid 150°C (18 V gate, 58 A drain).
Den totala laddningen på gaten är typiskt 170 nC (500 V, 58 A, 18 V gate).
Fördröjning vid till- och frånslag är 17 respektive 82 ns medan stig- och falltid är 32 respektive 17 ns.
Switchförlusten vid tillslag är 500 μJ och 310 μJ vid off (siffrorna gäller när gaten switchar mellan +18 V och 0 V och utan negativ drivning.
Den interna dioden återhämtar sig på 16 ns för 290 nC och ett framspänningsfall på 3,3 V.
För den som snabbt vill testa transistorerna finns utvärderingskort.