De statiska och dynamiska förlusterna har minskat med cirka 80 procent vilket gör det möjligt att designa kraftmoduler med högre effekttäthet och lägre driftskostnader. Så presenterar Toshiba den tredje generationen av sina krafttransistorer på 650 V i kiselkarbid.
Transistorerna passar för switchade kraftaggregat i industriella tillämpningar men också UPS-kraft i serverhallar och datacenter liksom i telekomprodukter. Även tillämpningar inom förnybar kraft lyfts fram inklusive invertrar till solpaneler och dubbelriktade DCDC-omvandlare till elbilar.
De nya transistorerna TW015N65C, TW027N65C, TW048N65C, TW083N65C och TW107N65C bygger vidare på den tidigare generationen men har fått en förbättrad cellstruktur. Därmed har de förbättrats (mätt som figure of merit, FoM) vad gäller resistansen mellan source och drain (RDSon) och laddningen mellan gate och drain (Qg) med upp till 80 procent.
Resultatet är signifikant lägre förluster vilket gör det möjligt att designa kraftlösningar med högre effektdensitet och lägre förluster under drift.
Precis som sina föregångare har de nya MOSFET:arna en integrerad Schottkybarriär med ett lågt framspänningsfall (VF) på -1,35 V (typiskt) vilket undertrycker fluktuationer i RDS(on) och ökar tillförlitligheten.
De nya transistorerna kan hantera strömmar upp till 100A och har ett RDS(on) på så lite som 15 mΩ. Kapslingen är TO-247 och komponenterna är i produktion.